為什麽（me）要（yào）使用真空擴散（sàn）爐？

擴散是分子從高濃度區域（yù）移動到低濃（nóng）度區域的過程。在日（rì）常生活中，它通常在液體，氣體和固體之內和之間發生。真空（kōng）擴散爐利用了這一過程，真空擴散爐提高了工件的溫度並引入了氣態元素以促進固態擴散。當物質（zhì）的（de）分子與主體固體在原子水平上混合時，就會發生固態擴散。多年來，這種擴（kuò）散機製一直是（shì）科學的好奇心，但此後已成為半導體製造中不可或缺的過程。

什（shí）麽是真空擴散爐？

真空擴散爐是具有圓柱形加熱室的（de）熱處理單元，該加熱室可以水平或垂直定向。由於等距的表麵散熱，這使得圓形工件能夠以出色的熱均（jun1）勻性進行（háng）加工。它們還可以在部分真空（kōng）條件下工作，以確（què）保在整個操作過程（chéng）中嚴（yán）格控製氣氛（fēn）。這對於確保氣相擴散到固態半導體而不引入不希望的雜質的最佳條件（jiàn）至關重要。

摻雜劑和半導體

當（dāng）半導體晶片（piàn）在真空擴散爐中處理時，將其加熱到設定溫度以內，並經曆稱（chēng）為氣相的氣態分子流。該相在原子級擴散到固體基質中，這一過程稱為摻雜。像矽（S）這樣的半導體（tǐ）在絕緣體和導體之間顯示出（chū）獨特的電子特性。引入摻雜劑以調節那些電子特性並（bìng）使它們適合於半導體器（qì）件製造。它們擴散到晶格中（zhōng）並（bìng）被固定在原子（zǐ）結構內，從而形成電子或電子空穴的過量或不足。這就是改變半導（dǎo）體晶片的電導率的原因。諸如磷（P）之類的元素通常用於增加晶片原子結構（gòu）中的自由電子數（shù）量（liàng），從而形（xíng）成所謂的n型半導體。相反，镓（Ga）可用於引入電子受（shòu）體，從而產（chǎn）生額外的電子空穴能級（jí）。這是（shì）n型半導體。n型和p型（xíng）半導體之間的功能差（chà）異千差萬別，目前（qián）使用的和（hé）正在探索中的（de），作為本征半導體的摻雜劑的化學（xué）變化也（yě）是如此

南京威途的真空擴散爐

在南京威途，17·c18起草视频.27專注於真空擴散爐的隔（gé）熱和圓形加熱元件的開發。17·c18起草视频.27提供的頸圈（quān），圓盤和前庭塊由填（tián）充有編織二氧（yǎng）化矽的陶瓷纖維組成（chéng），可以根據不同的客戶規格確定尺寸和形（xíng）狀。這些適用於各種真空擴散爐（lú）工藝的極高工作（zuò）溫度。